Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeمصنوعاتصنعتی سمارٹ ماڈیول لوازماتDDR3 UDIMM میموری ماڈیول کی وضاحتیں

DDR3 UDIMM میموری ماڈیول کی وضاحتیں

ادائیگی کی قسم:
L/C,T/T,D/A
انکوٹرم:
FOB,EXW,CIF
منٹ. آرڈر:
1 Piece/Pieces
نقل و حمل:
Ocean,Air,Express,Land
  • مصنوعات کی وضاحت
Overview
مصنوعات کی خصوصیات

ماڈل نمبر.NSO4GU3AB

فراہمی کی اہلیت اور اض...

نقل و حملOcean,Air,Express,Land

ادائیگی کی قسمL/C,T/T,D/A

انکوٹرمFOB,EXW,CIF

پیکیجنگ اور ترسیل
سیلنگ یونٹس:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240-پن DDR3 UDIMM


نظر ثانی کی تاریخ

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

انفارمیشن ٹیبل کا آرڈر دینا

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


تفصیل
ہینگ اسٹار انبفرڈ ڈی ڈی آر 3 ایس ڈی آر اے ایم ڈممز (غیر منقولہ ڈبل ڈیٹا ریٹ ہم وقت ساز ڈرامہ ڈوئل ان لائن میموری ماڈیولز) کم طاقت ، تیز رفتار آپریشن میموری ماڈیول ہیں جو ڈی ڈی آر 3 ایس ڈی آر اے ایم ڈیوائسز کا استعمال کرتے ہیں۔ NS04GU3AB ایک 512m x 64 بٹ دو رینک 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM UNBUFFERED DIMM پروڈکٹ ہے ، جو سولہ 256M X 8 بٹ FBGA اجزاء پر مبنی ہے۔ ایس پی ڈی کو 1.5V پر 11-11-11 کا جیڈیک اسٹینڈرڈ لیٹینسی ڈی ڈی آر 3-1600 وقت کا پروگرام بنایا گیا ہے۔ ہر 240 پن DIMM سونے سے رابطے کی انگلیوں کا استعمال کرتا ہے۔ پی سی اور ورک سٹیشن جیسے سسٹمز میں انسٹال ہونے پر ایس ڈی آر اے ایم کے بغیر بوفریڈ ڈمم کو مرکزی میموری کے طور پر استعمال کرنا ہے۔


خصوصیات
 پاور سپلائی: VDD = 1.5V (1.425V سے 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V سے 1.575V)
1600MB/SEC/PIN کے لئے 800MHz FCK
independent8 آزاد داخلی بینک
cap قابل عمل سی اے ایس لیٹینسی: 11 ، 10 ، 9 ، 8 ، 7 ، 6
 قابل عمل اضافی تاخیر: 0 ، CL - 2 ، یا CL - 1 گھڑی
bit 8 بٹ پری بازیافت
bur برسٹ کی لمبائی: 8 (کسی حد کے بغیر انٹیلیو ، صرف شروعاتی ایڈریس "000" کے ساتھ ترتیب وار) ، 4 TCCD = 4 کے ساتھ 4 جو ہموار پڑھنے یا لکھنے کی اجازت نہیں دیتا ہے [یا تو A12 یا ایم آر ایس کا استعمال کرتے ہوئے مکھی پر]
ii بی آئی-سمتل تفریق ڈیٹا اسٹروب
interinal اندرونی (خود) انشانکن ؛ ZQ پن کے ذریعے اندرونی خود انشانکن (RZQ: 240 اوہم ± 1 ٪)
OD ODT پن کا استعمال کرتے ہوئے ڈائی ٹرمینیشن
T CCAST 85 ° C سے کم ، 85 ° C <tcas <95 ° C پر 3.9us سے کم پر ریفریش ریفریش پیریڈ 7.8us
assassynchronous ری سیٹ
data قابل ڈیٹا آؤٹ پٹ ڈرائیو کی طاقت
fly فلائی بائی ٹوپولوجی
 پی سی بی: اونچائی 1.18 "(30 ملی میٹر)
arrows کے مطابق اور ہالوجن فری


کلیدی وقت کے پیرامیٹرز

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


ایڈریس ٹیبل

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


پن کی وضاحت

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

نوٹ نیچے پن کی تفصیل ٹیبل تمام DDR3 ماڈیولز کے لئے تمام ممکنہ پنوں کی ایک جامع فہرست ہے۔ فہرست میں درج تمام پنوں اس ماڈیول پر تعاون نہ کریں۔ اس ماڈیول سے متعلق معلومات کے لئے پن اسائنمنٹس دیکھیں۔


فنکشنل بلاک ڈایاگرام

4 جی بی ، 512mx64 ماڈیول (2 آرینک آف ایکس 8)

1


2


نوٹ:
1. ہر ڈی ڈی آر 3 جزو پر زیڈ کیو بال بیرونی 240Ω ± 1 ٪ ریزسٹر سے منسلک ہوتا ہے جو زمین سے بندھا ہوا ہے۔ یہ جزو کے آن ڈائی ٹریفک اور آؤٹ پٹ ڈرائیور کے انشانکن کے لئے استعمال ہوتا ہے۔



ماڈیول کے طول و عرض


سامنے کا حصہ

3

سامنے کا حصہ

4

نوٹ:
1. تمام طول و عرض ملی میٹر (انچ) میں ہیں۔ زیادہ سے زیادہ/منٹ یا عام (ٹائپ) جہاں نوٹ کیا گیا ہے۔
2. تمام جہتوں پر tolance ± 0.15 ملی میٹر جب تک کہ دوسری صورت میں اس کی وضاحت نہ کی جائے۔
3. جہتی آریھ صرف حوالہ کے لئے ہے۔

مصنوعات کی اقسام : صنعتی سمارٹ ماڈیول لوازمات

اس سپلائر کو ای میل کریں
  • *مضمون:
  • *کرنے کے لئے:
    Mr. Jummary
  • *ای میل:
  • *پیغام:
    آپ کا پیغام 20-8000 حروف کے درمیان ہونا چاہئے
Homeمصنوعاتصنعتی سمارٹ ماڈیول لوازماتDDR3 UDIMM میموری ماڈیول کی وضاحتیں
انکوائری بھیجیں
*
*

گھر

Product

Phone

ہمارے بارے میں

انکوائری

ہم آپ سے فوری طور پر رابطہ کریں گے

مزید معلومات کو پُر کریں تاکہ آپ کے ساتھ تیزی سے رابطہ ہوسکے

رازداری کا بیان: آپ کی رازداری ہمارے لئے بہت اہم ہے۔ ہماری کمپنی وعدہ کرتی ہے کہ آپ کی واضح اجازتوں کے ساتھ آپ کی ذاتی معلومات کو کسی بھی ایکسپانی سے ظاہر نہ کریں۔

بھیجیں